型号 | PSMN1R3-30YL,115 |
厂商 | NXP Semiconductors |
描述 | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK |
PSMN1R3-30YL,115 PDF | |
代理商 | PSMN1R3-30YL,115 |
产品目录绘图 | MOSFET LFPAK-4 |
特色产品 | LFPAK Trench 6 MOSFETs |
标准包装 | 1,500 |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 100A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 1.3 毫欧 @ 15A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.15V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 100nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 6227pF @ 12V |
功率 - 最大 | 121W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT1023,4-LFPAK |
供应商设备封装 | LFPAK,Power-SO8 |
包装 | 带卷 (TR) |